Low Voltage MOSFETs The IPB14N03LA is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.022Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IPB14N03LA is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Provides good thermal performance.  

This MOSFET is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications.

Low Voltage MOSFETs