OptiMOS?2 Power-Transistor The **IPB14N03LA G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.018Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The **IPB14N03LA G** is a **low on-resistance** N-Channel MOSFET designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- It is optimized for **low voltage, high current** operations, making it suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** systems.  
- The **TO-263 (D2PAK) package** provides good thermal performance for power dissipation.  

### **Features:**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** performance for high-frequency applications.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

OptiMOS?2 Power-Transistor