OptiMOS?3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS The **IPB147N03L G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies (INF)**. Here are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies (INF)**  

### **Key Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 147 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 590 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 243 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 1.7 mΩ (at V_GS = 10 V)  
  - 2.3 mΩ (at V_GS = 4.5 V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 85 nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5800 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 450 pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 300 mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-263-7 (D²PAK)**  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for high efficiency  
- **Optimized for High Current Applications**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche-Rugged Design**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IPB147N03L G** MOSFET.

OptiMOS?3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS