OptiMOS3 Power-Transistor The **IPB114N03L G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Key Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 114 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** Higher than continuous rating (exact value depends on conditions)  
- **R_DS(on) (Max):** Very low on-resistance (specific value depends on gate voltage, e.g., ~1.1 mΩ at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** High power handling capability (exact value depends on thermal conditions)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- **Optimized for High Efficiency:** Low R_DS(on) reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against voltage spikes.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage signals (e.g., 4.5 V).  

### **Applications:**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control**  
- **Power Management in Automotive & Industrial Systems**  
- **Battery Protection Circuits**  

For exact R_DS(on), current ratings, and thermal characteristics, refer to the official **Infineon datasheet**.

OptiMOS3 Power-Transistor