IPB10N03L

OptiMOS Power MOSFET, 30V, D2PAK, RDSon = 9.2mOhm, 73A, LL The **IPB10N03L** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 36W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
  - 0.055Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 9nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Technology:** TrenchMOS™ (OptiMOS™)  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching in DC-DC converters, motor control, and battery management systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Avalanche-Rugged:** Improved reliability under harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (4.5V).  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IPB10N03L MOSFET.

OptiMOS Power MOSFET, 30V, D2PAK, RDSon = 9.2mOhm, 73A, LL