OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) The **IPB107N20N3 G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB107N20N3 G  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 5  
- **Voltage Rating (VDS):** 200V  
- **Current Rating (ID):** 107A (continuous at 25°C)  
- **RDS(on) (Max):** 3.7 mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 480W (at 25°C)  
- **Package:** TO-263-3 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-state resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters, motor drives, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Optimized Gate Charge:** Reduces switching losses.  

For exact application-specific details, refer to the official **Infineon datasheet**.

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)