OptiMOS?-T Power-Transistor The **IPB100N06S3L-03** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400 A  
- **R_DS(on) (Max):** 3.0 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263-3 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency.  
- **High Current Capability:** Supports up to 100 A continuous current.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on Infineon's datasheet and product documentation.

OptiMOS?-T Power-Transistor