OptiMOS?2 Power-Transistor The IPB09N03LAG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB09N03LAG  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 90A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 360A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **R_DS(on) (Max):** 0.009Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.5V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The IPB09N03LAG is a high-performance N-channel MOSFET designed for low-voltage applications requiring high efficiency and power density.  
- It is part of Infineon’s OptiMOS™ family, optimized for low R_DS(on) and fast switching performance.  
- Suitable for applications such as DC-DC converters, motor control, and power management in automotive and industrial systems.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications with up to 90A continuous current.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for reduced switching losses.  
- **Robust Design:** High thermal performance and reliability in harsh environments.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive industry standards for quality and reliability.  

This information is based on Infineon’s official datasheet and product documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer’s datasheet.

OptiMOS?2 Power-Transistor