OptiMOS?3 Power-Transistor The **IPB093N04L G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB093N04L G  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 4  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 93 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 370 A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.93 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263-3 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The **IPB093N04L G** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features **low on-state resistance (R_DS(on))** and **high current handling capability**, making it suitable for high-efficiency switching applications.  
- Part of Infineon’s **OptiMOS™ 4** family, optimized for **low conduction and switching losses**.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (93 A continuous, 370 A pulsed).  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **Optimized for synchronous rectification** in DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and product documentation.

OptiMOS?3 Power-Transistor