OptiMOS?3 Power-Transistor The **IPB090N06N3 G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB090N06N3 G  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 60 V  
- **Current Rating (ID):** 90 A (continuous at 25°C)  
- **RDS(on):** 9.0 mΩ (max at VGS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 250 W (at 25°C)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The **IPB090N06N3 G** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-state resistance (RDS(on)) and high current handling, making it suitable for switching applications.  
- The device is housed in a **TO-263 (D2PAK)** package, which provides efficient thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to **90 A** continuous current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for reliability in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, power supplies, and automotive applications**.  

Would you like any additional details?

OptiMOS?3 Power-Transistor