OptiMOS Power MOSFET, 30V, D2PAK, RDSon = 6.2mOhm, 80A, LL The IPB07N03L is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB07N03L  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 70A continuous current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-efficiency power applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven with lower gate voltages.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and automotive systems.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IPB07N03L MOSFET.

OptiMOS Power MOSFET, 30V, D2PAK, RDSon = 6.2mOhm, 80A, LL