Low Voltage MOSFETs The IPB06N03LA is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for improved efficiency.  
- Fast switching performance for power management applications.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer electronics.  
- Robust thermal performance due to the TO-263 package.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IPB06N03LA MOSFET.

Low Voltage MOSFETs