IPB065N06LG

OptiMOS? Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification The IPB065N06LG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (IFN).  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 65 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 260 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W  
- **R_DS(on) (Max):** 6.5 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.5 V (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against high-energy transients.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IPB065N06LG MOSFET.

OptiMOS? Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification