OptiMOS? Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification The **IPB065N06L G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 65 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 260 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.3 V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 38 nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The **IPB065N06L G** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is part of Infineon’s **OptiMOS™** family, optimized for low conduction losses and high switching efficiency.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power switching** applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **High Current Capability** (65 A continuous, 260 A pulsed).  
- **Fast Switching Performance** due to low gate charge.  
- **Optimized for High Efficiency** in power conversion applications.  
- **Robust and Reliable** with a wide operating temperature range.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** packaging.  

This information is based on Infineon’s official datasheet and product documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer’s datasheet.

OptiMOS? Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification