### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IPB065N03L G  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 65 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 260 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 1.7 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
  - 2.3 mΩ (max) at V_GS = 4.5 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 44 nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120 pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Optimized for low conduction and switching losses.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes power dissipation in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliable operation under stress conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Applications:**  
  - DC-DC converters  
  - Motor control  
  - Power management in automotive and industrial systems  
  - Synchronous rectification  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IPB065N03L G** MOSFET.