OptiMOS?3 Power-Transistor The IPB055N03LG is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** IPB055N03LG  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 220A  
- **R_DS(on) (Max):** 5.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions and Features:**
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 55A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Optimized for DC-DC Conversion:** Ideal for synchronous rectification in power supplies.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in rugged operating conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power management, motor control, and DC-DC converter applications.

OptiMOS?3 Power-Transistor