Low Voltage MOSFETs The IPB04N03LA is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB04N03LA  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 44W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for high current handling in a compact package.  
- Suitable for automotive and industrial applications.  
- Fast switching performance due to low gate charge.  
- RoHS compliant and halogen-free.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IPB04N03LA.

Low Voltage MOSFETs