OptiMOS?2 Power-Transistor The **IPB04N03LA G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** IPB04N03LA G  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 5.5mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The **IPB04N03LA G** is a **30V N-Channel MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications. It features **low on-resistance** and **high current handling capability**, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (40A continuous, 160A pulsed).  
- **Optimized for switching applications** with fast switching characteristics.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant** packaging.  

This information is based on Infineon's datasheet for the **IPB04N03LA G**. For detailed application notes and performance curves, refer to the official documentation.

OptiMOS?2 Power-Transistor