OptiMOS Power MOSFET, 30V, D2PAK, RDSon = 3.9mOhm, 80A, LL The IPB04N03L is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 48 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The IPB04N03L is a low-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Optimized for fast switching performance  
- Robust and reliable for automotive applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is strictly factual and sourced from Ic-phoenix technical data files.

OptiMOS Power MOSFET, 30V, D2PAK, RDSon = 3.9mOhm, 80A, LL