OptiMOS?2 Power-Transistor The part **IPB04CNE8NG** is manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB04CNE8NG  
- **Category:** Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchStop™ 5  
- **Voltage Rating (VDS):** 40V  
- **Current Rating (ID):** 70A (continuous)  
- **Package:** TO-263-7 (D2PAK)  
- **RDS(ON) (Max):** 4.0 mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate Charge (Qg):** 36 nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The **IPB04CNE8NG** is a **N-channel MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications.  
- It utilizes **Infineon’s TrenchStop™ 5 technology**, which provides low conduction and switching losses.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** in automotive and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low on-state resistance (RDS(ON))** for reduced power dissipation.  
- **Fast switching performance** for high-frequency applications.  
- **AEC-Q101 qualified**, making it suitable for automotive applications.  
- **Optimized for synchronous rectification** in buck converters.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For detailed datasheets or application notes, refer to **Infineon’s official documentation**.

OptiMOS?2 Power-Transistor