**Part Number:** IPB039N04L G  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 780 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 294 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.9 mΩ (max at V_GS = 10 V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 62 nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263-7 (D2PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Optimized for low conduction and switching losses.  
- **Robust Design:** Suitable for high-power applications.  
- **Fast Switching:** Low gate charge and low R_DS(on) enhance performance.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive reliability standards.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

This information is based on Infineon's official documentation for the IPB039N04L G MOSFET.