IPB030N08N3G

OptiMOS3 Power-Transistor The **IPB030N08N3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data from Infineon's documentation:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB030N08N3G  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(on) (Max):** 3.0mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263-7 (D2PAK-7)  

### **Descriptions:**
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Optimized for **low conduction losses** and **fast switching performance**.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** in industrial and automotive systems.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced power losses.  
- **High current capability** (100A continuous).  
- **Optimized gate charge (Q_G)** for efficient switching.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For detailed datasheet information, refer to **Infineon’s official documentation**.

OptiMOS3 Power-Transistor