OptiMOS3 Power-transistor The **IPB025N08N3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IPB025N08N3G  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.3V (min), 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The **IPB025N08N3G** is a high-performance **N-Channel MOSFET** designed for power switching applications.  
- It features **low on-resistance (R_DS(on))** and **high current capability**, making it suitable for demanding power management tasks.  
- The **TO-263 (D2PAK) package** provides efficient thermal dissipation.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling** (120A continuous, 480A pulsed).  
- **Optimized for fast switching** in power applications.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Pb-free and RoHS-compliant** packaging.  

This information is strictly based on Infineon's datasheet for the **IPB025N08N3G** MOSFET.

OptiMOS3 Power-transistor