OptiMOS3 Power-transistor The **IPB019N08N3G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** IPB019N08N3G  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 190 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 760 A  
- **R_DS(on) (Max):** 1.9 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 480 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263-7 (D2PAK)  

### **Description:**  
The **IPB019N08N3G** is a high-performance N-channel MOSFET from Infineon’s **OptiMOS™ 3** series, optimized for low conduction losses and high switching efficiency. It is designed for applications requiring high power density and reliability.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (190 A continuous).  
- **Optimized for fast switching** in power applications.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor drives, and power management systems** where efficiency and thermal performance are critical.  

(Note: Always refer to the official Infineon datasheet for precise details.)

OptiMOS3 Power-transistor