OptiMOS3 Power-transistor The **IPB019N08N3 G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** IPB019N08N3 G  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 190 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 760 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 375 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.9 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170 nC  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-power switching applications** such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (190 A continuous, 760 A pulsed).  
- **Optimized for fast switching** with low gate charge (Q_g).  
- **Robust thermal performance** due to the TO-263 (D2PAK) package.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability in harsh conditions.  

For detailed application notes or additional technical data, refer to the official **Infineon datasheet**.

OptiMOS3 Power-transistor