CoolMOS Power Transistor The IPA90R1K2C3 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPA90R1K2C3  
- **Technology:** CoolMOS™ C3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 900 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 156 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 480 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 7 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The IPA90R1K2C3 is a high-voltage CoolMOS™ C3 power MOSFET designed for efficient switching applications.  
- It features low on-state resistance and high switching performance, making it suitable for power supplies, lighting, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 900 V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **CoolMOS™ C3 Technology:** Provides high efficiency and thermal performance.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

CoolMOS Power Transistor