650V CoolMOS CFD Power Transistor The IPA65R660CFD is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** IPA65R660CFD  
- **Technology:** CoolMOS™ CFD7 (Superjunction MOSFET)  
- **Voltage Rating (VDS):** 650 V  
- **Current Rating (ID):** 10.5 A (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 660 mΩ (max) at VGS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30 V  
- **Power Dissipation (PD):** 48 W (at 25°C)  
- **Package:** TO-220 FullPAK (isolated)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **CoolMOS™ CFD7 Technology:** Optimized for high efficiency and robustness in switching applications.  
- **Fast Switching:** Low gate charge (Qg) and output capacitance (Coss) for improved switching performance.  
- **Low Conduction Losses:** Low RDS(on) reduces power dissipation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliable operation in harsh conditions.  
- **Isolated Package (TO-220 FullPAK):** Provides electrical isolation between the heatsink and the device.  
- **Applications:** Suitable for power supplies, lighting, industrial, and automotive systems.  

This information is based solely on Infineon's official datasheet for the IPA65R660CFD.

650V CoolMOS CFD Power Transistor