Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor The **IPA60R950C6** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPA60R950C6  
- **Technology:** CoolMOS™ C6 (Superjunction MOSFET)  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 650 V  
- **Current Rating (I_D):** 11 A (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 950 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 48 W (at 25°C)  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **IPA60R950C6** is a **650V Superjunction MOSFET** optimized for **high-efficiency power conversion** in applications like **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), lighting, and industrial systems**.  
- It belongs to Infineon’s **CoolMOS™ C6** series, offering **low switching losses and high thermal performance**.  
- The **TO-220 package** ensures good thermal dissipation and mechanical robustness.  

### **Features:**  
- **Superjunction Technology:** Enables **low conduction and switching losses**.  
- **High Voltage Rating (650V):** Suitable for **offline power supplies**.  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Enhances **switching efficiency**.  
- **Fast Body Diode:** Reduces **reverse recovery losses**.  
- **Avalanche Rugged:** Ensures **reliability under harsh conditions**.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer’s datasheet and technical documentation.

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor