IPA60R600C6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor The IPA60R600C6 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPA60R600C6  
- **Transistor Type:** CoolMOS™ C6 Power MOSFET  
- **Technology:** Superjunction (SJ) MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 6.7A (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 48W (at 25°C)  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Optimized for low switching and conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Enhances efficiency in switching applications.  
- **Avalanche Rugged:** Robust against high-energy pulses.  
- **CoolMOS™ C6 Technology:** Provides superior performance in power conversion applications.  
- **Applications:** Used in SMPS (Switch Mode Power Supplies), lighting, industrial power systems, and motor control.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IPA60R600C6.

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor