Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor The IPA60R520C6 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPA60R520C6  
- **Technology:** CoolMOS™ C6 (Superjunction MOSFET)  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 8.5A (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 520mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power conversion applications.  
- Optimized for switching power supplies, lighting, and industrial applications.  
- Low gate charge (Q_G) and low output capacitance (C_OSS) for reduced switching losses.  

### **Features:**  
- **Superjunction Technology:** Enables low conduction and switching losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability for reliable operation.  
- **Low Thermal Resistance:** Enhances thermal performance in high-power applications.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IPA60R520C6.

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor