600V CoolMOS E6 Power Transistor The **IPA60R190E6** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPA60R190E6  
- **Technology:** CoolMOS™ C6 (Superjunction MOSFET)  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D at 25°C):** 11A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 190mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 48W  
- **Package:** TO-220  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency switching applications** such as power supplies, motor drives, and inverters.  
- Features **low conduction losses** and **fast switching performance** due to CoolMOS™ C6 technology.  
- Suitable for **hard-switching and resonant topologies**.  

### **Features:**  
- **Superjunction MOSFET** for reduced switching losses.  
- **Low gate charge (Q_G)** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Optimized for high-frequency operation**.  
- **Pb-free and RoHS compliant**.  

This information is strictly based on Infineon's datasheet and technical documentation for the IPA60R190E6.

600V CoolMOS E6 Power Transistor