OptiMOS(TM)3 Power-Transistor The **IPA100N08N3 G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPA100N08N3 G  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150 nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** ensures minimal conduction losses.  
- **Fast switching performance** due to low gate charge (Q_g).  
- **Optimized for synchronous rectification** in DC-DC converters, motor control, and power supplies.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

For detailed datasheets, refer to **Infineon’s official documentation**.

OptiMOS(TM)3 Power-Transistor