OptiMOS(TM)3 Power-Transistor The **IPA037N08N3 G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPA037N08N3 G  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 37 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 148 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.7 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 65 nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2100 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 460 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110 pF  
- **Package:** TO-220  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Low **on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for improved efficiency in power conversion.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability in harsh conditions.  
- **Optimized gate charge** for better switching performance.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

OptiMOS(TM)3 Power-Transistor