OptiMOS(TM)3 Power-Transistor The **IPA028N08N3 G** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPA028N08N3 G  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™ 3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 112 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 42 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 28 mΩ (at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1040 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60 pF  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Optimized for low conduction and switching losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Robust Design:** High avalanche ruggedness and improved thermal performance.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Enhances switching efficiency.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive-grade reliability standards.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power supplies, and automotive systems.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IPA028N08N3 G MOSFET.

OptiMOS(TM)3 Power-Transistor