600V & 1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching and up to 30kHz for soft switching with antiparallel diode. ... The **IKW50N60T** is a power transistor manufactured by **Infineon Technologies (formerly part of Siemens Semiconductor Group)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 50A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Switching Speed:** Fast switching IGBT  
- **Package:** TO-247  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching applications**  
- **Low saturation voltage (V_CE(sat))** for reduced conduction losses  
- **Fast switching** capability for improved performance in high-frequency applications  
- **Temperature-stable characteristics** for reliable operation  
- **Robust and rugged design** for industrial and automotive applications  
- **Integrated freewheeling diode** (depending on variant) for improved efficiency in inductive load switching  

This IGBT is commonly used in **motor drives, inverters, UPS systems, and power supplies**.  

(Note: Always refer to the latest datasheet from Infineon for precise technical details.)