IKW40T120

IGBTs & DuoPacks The IKW40T120 is a power semiconductor device manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 40A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 20A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Package:** TO-247  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IKW40T120 is a high-voltage IGBT designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and reliability in industrial and automotive applications.  
- The device features low conduction and switching losses, making it suitable for high-frequency applications.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency circuits.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Temperature Stability:** Maintains performance across a wide temperature range.  
- **Robust Design:** Suitable for harsh environments.  

This information is based solely on Infineon's official datasheet for the IKW40T120.

IGBTs & DuoPacks