IGBTs & DuoPacks The **IKW25T120** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 25 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 15 A  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical)  
- **Gate-Emitter Threshold Voltage (V_GE(th)):** 5.5 V (typical)  
- **Maximum Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Package:** TO-247  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The **IKW25T120** is a high-voltage IGBT designed for power switching applications. It combines low conduction losses with fast switching capabilities, making it suitable for inverters, motor drives, and industrial power supplies.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in conduction.  
- **Fast Switching:** Reduces switching losses.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Temperature Stability:** Reliable performance across a wide temperature range.  
- **Robust Design:** Suitable for demanding industrial environments.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IKW25T120**.