600V & 1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching and up to 30kHz for soft switching with antiparallel diode. ... The **IKW20N60T** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600 V  
- **Current Rating (I_D):** 20 A (at 25°C)  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.19 Ω (max at V_GS = 10 V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (min) – 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typ)  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 140 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- **Technology:** N-Channel MOSFET with **CoolMOS™** technology for high efficiency.  
- **Package:** TO-247 (3-pin through-hole package).  
- **Applications:** Designed for **switching power supplies, motor control, and industrial applications** requiring high voltage and current handling.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Rugged:** Capable of handling high-energy transients.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Reduces switching losses.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  

This information is strictly based on Infineon's datasheet for the **IKW20N60T** MOSFET.