IGBTs & DuoPacks The IKW08T120 is a power semiconductor device manufactured by Infineon. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IKW08T120  
- **Device Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C at 25°C):** 8 A  
- **Current Rating (I_C at 100°C):** 5.6 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 48 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical at 8 A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Package:** TO-247 (3-pin)  

### **Descriptions:**
- The IKW08T120 is a high-voltage IGBT designed for power switching applications.  
- It is optimized for efficiency and reliability in industrial and automotive applications.  
- The device features low conduction and switching losses, making it suitable for high-frequency operations.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 1200 V breakdown voltage.  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency circuits.  
- **Temperature Stability:** Designed for reliable operation at elevated temperatures.  
- **Robust Packaging:** TO-247 package ensures good thermal performance.  

For exact application details, refer to Infineon’s official datasheet.