IGBTs & DuoPacks The **IKW03N120H2** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C at 25°C):** 3 A  
- **Current Rating (I_C at 100°C):** 2 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 48 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical at I_C = 3 A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Junction Temperature Range (T_j):** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-efficiency switching applications** in power electronics.  
- **Low conduction and switching losses** for improved energy efficiency.  
- **Robust and reliable** construction suitable for industrial applications.  
- **Fast and soft recovery diode** integrated for improved performance in inductive loads.  
- **High current capability** in a compact package.  
- Suitable for **motor drives, inverters, UPS systems, and welding equipment**.  

This information is based solely on Infineon's technical documentation for the **IKW03N120H2**.