600V & 1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching and up to 30kHz for soft switching with antiparallel diode. ... The **IKP20N60T** is a power transistor manufactured by **Infineon**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel IGBT  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 20 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 12 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 160 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7 V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The **IKP20N60T** is a high-voltage, high-current **N-Channel IGBT** designed for power switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in demanding environments.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 20 A at 25°C.  
- **Temperature Stability:** Maintains performance across a wide temperature range.  
- **Robust Package (TO-247):** Provides good thermal dissipation.  

This IGBT is commonly used in **motor drives, inverters, power supplies, and industrial applications**.  

(Note: Always refer to the official **Infineon datasheet** for precise details.)