600V & 1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching and up to 30kHz for soft switching with antiparallel diode. ... The IKP04N60T is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 48 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 4 V (typ), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IKP04N60T is part of Infineon’s CoolMOS™ power MOSFET family, optimized for high efficiency and low switching losses.  
- It is designed for applications requiring high voltage and fast switching, such as power supplies, lighting, and motor control.  
- The device features a TO-252 (DPAK) package, providing good thermal performance and compact design.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 600 V applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses and improves efficiency.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.