“RC-D Fast”: RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency The **IKD06N60RF** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600 V  
- **Current Rating (I_D):** 6 A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2 Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 48 W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Technology:** CoolMOS™ RF (Optimized for RF switching applications)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-frequency switching** applications, particularly in **RF power amplifiers** and **resonant converters**.  
- Part of Infineon’s **CoolMOS™ RF** family, optimized for efficiency in **radio frequency (RF) and resonant power stages**.  
- Features **low gate charge (Q_G)** and **fast switching** characteristics.  

### **Features:**  
- **Low switching losses** for improved efficiency in RF applications.  
- **High dv/dt capability** for robust performance in resonant circuits.  
- **Optimized for ZVS (Zero Voltage Switching) and ZCS (Zero Current Switching) topologies.**  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Pb-free and RoHS compliant.**  

This MOSFET is commonly used in **RF generators, induction heating, plasma generation, and wireless power transfer systems**.  

(Note: All details are based on Infineon’s official documentation.)

“RC-D Fast”: RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency