600V & 1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching and up to 30kHz for soft switching with antiparallel diode. ... The **IKB15N60T** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600 V  
- **Current Rating (I_D):** 15 A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35 Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 140 W  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Technology:** CoolMOS™ (Superjunction MOSFET)  

### **Descriptions:**
- The **IKB15N60T** is a **N-channel** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is part of Infineon’s **600 V CoolMOS™** family, optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), lighting, motor control, and industrial applications.**  

### **Features:**  
- **Low gate charge (Q_g)** for fast switching.  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High dv/dt capability** for robust performance.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Lead-free and RoHS-compliant** packaging.  

This information is based on Infineon’s official datasheet for the **IKB15N60T**. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer’s documentation.