Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode **Manufacturer:** Infineon  

**Part Number:** IKB10N60T  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchStop™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The IKB10N60T is a high-voltage N-channel MOSFET from Infineon’s 600 V TrenchStop™ family, optimized for fast switching and low conduction losses. It is designed for applications requiring high efficiency and robustness, such as power supplies, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **TrenchStop™ Technology:** Reduces switching losses and improves thermal performance.  
- **Avalanche Rated:** Ensures ruggedness under high-energy conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching performance.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IKB10N60T.