Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode The **IKB06N60T** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 6A (continuous at 25°C)  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W (at 25°C)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Optimized for low conduction losses and fast switching performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Rugged:** Capable of handling high-energy transients.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency circuits.  
- **Low R_DS(on):** Reduces conduction losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to Infineon's official documentation.

Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode