600V & 1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching and up to 30kHz for soft switching with antiparallel diode. ... The **IKA10N60T** is an **N-Channel Power MOSFET** manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (typical) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220** (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Fast switching** for high-efficiency applications  
- **Low gate charge** for reduced drive requirements  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **Low R_DS(on)** for minimized conduction losses  
- **Optimized for** switching power supplies, motor control, and other high-voltage applications  

### **Applications:**  
- Switch-mode power supplies (SMPS)  
- DC-DC converters  
- Motor control circuits  
- Lighting systems  
- Industrial and automotive electronics  

This MOSFET is designed for **high-voltage, high-speed switching** applications with robust performance characteristics.