IGBTs & DuoPacks The **IKA03N120H2** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IKA03N120H2  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C at 25°C):** 3 A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** Typically around 50 W (exact value may vary)  
- **Switching Speed:** Designed for medium to high-speed switching applications  
- **Package Type:** TO-220 (through-hole package)  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V (max)  
- **Operating Temperature Range:** Typically -40°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The **IKA03N120H2** is a high-voltage IGBT designed for power switching applications. It is optimized for efficiency in medium-frequency operations and is commonly used in inverters, motor drives, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Voltage Blocking Capability:** 1200 V rating for robust performance.  
- **Temperature Stability:** Reliable operation across a wide temperature range.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal dissipation and ease of mounting.  

For exact datasheet details, refer to **Infineon’s official documentation**.