Reverse conducting IGBT with monolithic body diode The **IHY20N120R3** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**  
- **Device Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 40 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 20 A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 200 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1 V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching characteristics  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
The **IHY20N120R3** is a high-voltage IGBT designed for power switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in industrial and automotive systems, including motor drives, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in high-power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency operations.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 1200 V for robust performance.  
- **Temperature Stability:** Designed for operation in a wide temperature range.  
- **TO-247 Package:** Ensures good thermal dissipation and mechanical strength.  

This information is based on Infineon's product documentation for the **IHY20N120R3**. For exact details, refer to the official datasheet.