Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with anti-parallel diode The **IHW30N90T** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (VDS):** 900V  
- **Current Rating (ID):** 30A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD):** 330W  
- **RDS(on) (Drain-Source Resistance):** 0.30Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V (max)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3.5V (min), 5V (typ), 6.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2200pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range (TJ):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- **Technology:** N-channel, CoolMOS™ Trench technology  
- **Package:** TO-247  
- **Application:** Designed for high-efficiency power conversion in industrial, automotive, and consumer applications.  
- **Switching Performance:** Optimized for fast switching with low losses.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 900V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low RDS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** High energy capability for reliability in harsh conditions.  
- **CoolMOS™ Technology:** Delivers superior thermal and electrical performance.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly design.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **IHW30N90T** power MOSFET.